晶體材料國家重點實驗室在鈣鈦礦光催化產氫研究方麵取得新進展

據科技部報道：當dang前qian，鈣gai鈦tai礦kuang太tai陽yang能neng電dian池chi的de高gao效xiao光guang電dian轉zhuan換huan效xiao率lv引yin起qi了le全quan世shi界jie科ke研yan工gong作zuo者zhe的de廣guang泛fan關guan注zhu。鈣gai鈦tai礦kuang半ban導dao體ti材cai料liao帶dai隙xi窄zhai

，能neng有you效xiao利li用yong太tai陽yang光guang的de能neng量liang，同tong時shi由you於yu其qi特te殊shu的de結jie構gou和he特te性xing


，使shi其qi產chan生sheng的de光guang生sheng電dian子zi和he空kong穴xue能neng夠gou高gao效xiao分fen離li和he傳chuan輸shu。但dan是shi
，目mu前qian對dui鈣gai鈦tai礦kuang半ban導dao體ti材cai料liao在zai溶rong液ye相xiang產chan氫qing及ji其qi它ta光guang催cui化hua性xing能neng的de研yan究jiu卻que很hen少shao
，易yi溶rong於yu水shui和he遇yu水shui分fen解jie的de特te性xing嚴yan重zhong製zhi約yue了le其qi在zai光guang催cui化hua領ling域yu的de應ying用yong。

晶體材料國家重點實驗室黃柏標
、王朋課題組基於在光催化及晶體生長方麵的研究基礎
，首次提出了利用CH3NH2PbI3納米晶生長的母液進行光催化產氫性能研究，實現了CH3NH2PbI3在可見光照射下的產氫。為了進一步提高其產氫活性並減少貴金屬的用量，他們還首次實現了強酸性條件下還原石墨烯對CH3NH2PbI3的修飾

，負載後所形成的Pb-O-C鍵有利於光生載流子的傳輸和分離。

該研究大幅提高了鈣鈦礦半導體材料的產氫活性，研究成果近期在國際學術期刊Advanced Materials上發表。